型号:NP33N06YDG-E1-AY | 类别:FET - 单 | 制造商:Renesas Electronics America |
封装:8-SMD,扁平引线裸焊盘 | 描述:MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON |
系列 | - |
制造商 | Renesas Electronics America |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 33A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 14 毫欧 @ 16.5A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 78nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 3900pF @ 25V |
功率_最大 | 1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线裸焊盘 |
供应商设备封装 | 8-HSON |
包装 | Digi-Reel® |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
深圳市宇明芯科技有限公司 | 李小姐0755-83051566 |
北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
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Taiyo Yuden
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- NOJC476M006RWJ
氧化铌
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2312(6032 公制)
CAP NIOB OXIDE 47UF 6.3V 2312
- NSBC114TF3T5G
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
ON Semiconductor
SOT-1123
TRANS NPN W/RES 50V SOT1123
- MIC2182YM
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器
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16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SOIC
- NP110N055PUJ-E2B-AY
FET - 单
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1206(3216 公制)
CAP NIOB OXIDE 4.7UF 10V 1206
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1206(3216 公制)
CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1206
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固定式
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非标准
INDUCTOR PWR SHIELD 2.4UH SMD
- MGA-632P8-BLKG
RF 放大器
Avago Technologies US Inc.
8-WFDFN 裸露焊盘
IC AMP LNA MMIC GAAS SMD 8-TSLP
- NSBC114YPDXV6T1
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
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SOT-563,SOT-666
TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
- NOJD107M010RWJ
氧化铌
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2917(7343 公制)
CAP NIOB OXIDE 100UF 10V 2917
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FET - 单
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TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
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PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器
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16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SOIC
- NOJB226M004RWJ
氧化铌
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1210(3528 公制)
CAP NIOB OXIDE 22UF 4V 1210
- HMK325B7225KN-T
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1210(3225 公制)
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16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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1210(3225 公制)
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氧化铌
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2917(7343 公制)
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- NSBC115TDP6T5G
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TRANS ARR 2NPN W/RES 50V SOT963
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1812(4532 公制)
CAP CER 1UF 100V 10% X7R 1812
- NOJB226M006RWJ
氧化铌
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1210(3528 公制)
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- MGA-64606-TR1G
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Avago Technologies US Inc.
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- P1168.682NLT
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INDUCTOR PWR SHIELD 6.8UH SMD
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- NOJB226M010RWB
氧化铌
AVX Corporation
1210(3528 公制)
CAP NIOB OXIDE 22UF 10V 1210
- P1168.683NLT
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Pulse Electronics Corporation
非标准
INDUCTOR PWR SHIELD 68UH SMD
- NSBC123JF3T5G
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
ON Semiconductor
SOT-1123
TRANS NPN W/RES 50V SOT1123